Контpактное изготовление микросхем

Контpактное изготовление микросхем

Мы предлагаем своим клиентам полный комплект услуг по подготовке и сопровождению мелкосерийного и массового производства микросхем на базе широкого спектра современных технологий.

В зависимости от потребностей клиентов мы обеспечиваем:

  1. Поставку полного набора библиотечных элементов и правил проектирования
  2. Подбор и разработку под заказ IP-блоков
  3. Выполнение работ по проверке топологи
  4. Изготовление фотошаблонов
  5. Запуск и сопровождение изготовления кристаллов по маршрутам MPW/MLM/Full Mask Set
  6. Корпусирование
  7. Тестирование микросхем в пластинах и корпусах
  8. Доставку изготовленных микросхем заказчику

СMOS LOGIC

Стандартные КМОП процессы охватывают технологические нормы от 180 нм до 110 нм и обеспечивают оптимальное сочетание стоимости, скорости, мощности и плотности компоновки.

Доступные технологии:

  • C11AL – 110nm CMOS Logic 1.2V/3.3V Al
  • C11AL eFlash – 110nm CMOS Logic 1.2V/3.3V Al eFlash
  • C11G – 110nm CMOS Logic 1.2V/2.5V, 1.2V/3.3V Cu
  • C13AL – 130nm CMOS Logic 1.2V/3.3V Al
  • C13G – 130nm CMOS Logic 1.2V/2.5V, 1.2V/3.3V Cu
  • C15G – 153nm CMOS Logic 1.8V/3.3V
  • C16G – 160nm CMOS Logic 1.8V/3.3V
  • C18G — 180nm CMOS Logic 1.8V/3.3V
  • C18GH5 – 180nm CMOS Logic 1.8V/5.0V
  • C18G eFlash – 180nm CMOS Logic 1.8V/3.3V eFlash
  • C18LP – 180nm CMOS Logic 1.8V/3.3V Low Power

RFCMOS

КМОП процессы для радиочастоных схем предназначены для беспроводных приложений, отвечающих стандартам, таким как Bluetooth, Zigbee, Sub-Giga Hz…

Доступные технологии:

  • C11ALMR – 110nm RFCMOS 1.2V/3.3V AL
  • C13MR – 130nm RFCMOS 1.2V/3.3V Cu
  • C18MR – 180nm RFCMOS 1.8V/3.3V

BCD

BCDMOS (Bipolar/CMOS/DMOS) процессы позволяют использовать три типа транзисторов на одном кристалле, что позволяет создавать компактные микросхемы с напряжениями 12-60 В, рассчитанные системы управления питанием и LED драйверами, автомобильную электронику, преобразователях постоянного тока, …

Доступные технологии:

  • 180nm BCDMOS Technology — 1.8V Core and 5V DMOS Dual Gate
  • 180nm BCDMOS Technology — 5V Single Gate Only ( 5V DMOS or 5V Power Switch Application)
  • Power MOSFET Technology — Trench V-Tr MOSFET
  • Power MOSFET Technology — Super Junction MOSFET

HV

Высоковольтные КМОП процессы предназначены для применений требующих высокое напряжение и низкие токи утечки.

Доступные технологии:

  • C11H32 — 110nm HV 1.5V/6V/32V
  • C13H32 – 130nm HV 1.5V/6V/32V
  • C16H32 – 160nm HV 1.8V/5.5V/32V
  • C18H32 – 180nm HV 1.8V/5.5V/32V

MPW

Для снижения затрат клиента на производство пробных партий и прототипирование, ООО «КБ Созвездие» предлагает производство кристаллов на пластинах совместно с другими проектами (MPW — Multi-Project Wafer). Это позволяет разделить стоимость комплекта фотошаблонов между несколькими участниками и, как результат, снизить себестоимость кристаллов на 90%.
Расписание MPW на 2017 год: